SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix


siz346dt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.27 грн
10+50.00 грн
100+32.76 грн
500+23.80 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 16W, 16.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3).

Інші пропозиції SIZ346DT-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIZ346DT-T1-GE3 SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz346dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 SIZ346DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix siz346dt.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 siz346dt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16W, 16.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ346DT-T1-GE3 siz346dt.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.