SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 32.63 грн |
| 6000+ | 29.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3).
Інші пропозиції SIZ348DT-T1-GE3 за ціною від 31.32 грн до 121.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
на замовлення 4219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIZ348DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 326+ | 43.33 грн |
| 329+ | 42.90 грн |
| 333+ | 42.48 грн |
| 336+ | 40.54 грн |
| 500+ | 37.17 грн |
| 1000+ | 35.30 грн |
| SIZ348DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.99 грн |
| 10+ | 62.13 грн |
| 100+ | 48.33 грн |
| 500+ | 38.45 грн |
| 1000+ | 31.32 грн |
| SIZ348DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 107.83 грн |
| 10+ | 96.05 грн |
| 25+ | 95.11 грн |
| 100+ | 71.50 грн |
| 250+ | 65.53 грн |
| 500+ | 51.67 грн |
| 1000+ | 40.50 грн |
| SIZ348DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 121.15 грн |
| 118+ | 119.95 грн |
| 150+ | 94.40 грн |
| 200+ | 86.29 грн |
| 500+ | 68.54 грн |
| 1000+ | 51.51 грн |
| 2000+ | 48.53 грн |
| 6000+ | 45.24 грн |
| SIZ348DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




