Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ348DT-T1-GE3
SIZ348DT-T1-GE3

SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

siz348dt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3).

Інші пропозиції SIZ348DT-T1-GE3 за ціною від 35.62 грн до 149.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 Vishay siz348dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+43.72 грн
329+43.28 грн
333+42.86 грн
336+40.90 грн
500+37.50 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 Vishay siz348dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.80 грн
10+96.90 грн
25+95.95 грн
100+72.13 грн
250+66.11 грн
500+52.13 грн
1000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 Vishay siz348dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+122.23 грн
118+121.02 грн
150+95.24 грн
200+87.06 грн
500+69.16 грн
1000+51.97 грн
2000+48.96 грн
6000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz348dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.30 грн
10+84.30 грн
50+63.54 грн
100+53.32 грн
500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 SIZ348DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix siz348dt.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+149.31 грн
10+70.56 грн
100+54.85 грн
500+43.44 грн
1000+42.42 грн
3000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 siz348dt.pdf
SIZ348DT-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
326+43.72 грн
329+43.28 грн
333+42.86 грн
336+40.90 грн
500+37.50 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 siz348dt.pdf
SIZ348DT-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+108.80 грн
10+96.90 грн
25+95.95 грн
100+72.13 грн
250+66.11 грн
500+52.13 грн
1000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 siz348dt.pdf
SIZ348DT-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+122.23 грн
118+121.02 грн
150+95.24 грн
200+87.06 грн
500+69.16 грн
1000+51.97 грн
2000+48.96 грн
6000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 siz348dt.pdf
SIZ348DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.30 грн
10+84.30 грн
50+63.54 грн
100+53.32 грн
500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ348DT-T1-GE3 siz348dt.pdf
SIZ348DT-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.31 грн
10+70.56 грн
100+54.85 грн
500+43.44 грн
1000+42.42 грн
3000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.