SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.06 грн |
| 6000+ | 31.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3).
Інші пропозиції SIZ348DT-T1-GE3 за ціною від 30.60 грн до 104.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ348DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIZ348DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
на замовлення 4229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SIZ348DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
SIZ348DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SIZ348DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товару немає в наявності |