Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ350DT-T1-GE3
SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

siz350dt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33, Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIZ350DT-T1-GE3 за ціною від 30.94 грн до 140.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ350DT-T1-GE3 SIZ350DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz350dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.23 грн
10+61.40 грн
100+47.76 грн
500+37.99 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3 SIZ350DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siz350dt.pdf MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
на замовлення 14016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.36 грн
10+88.77 грн
100+51.60 грн
500+40.89 грн
1000+37.41 грн
3000+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ350DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz350dt.pdf MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.