SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.45 грн |
| 10+ | 88.62 грн |
| 100+ | 54.53 грн |
| 500+ | 44.47 грн |
| 6000+ | 44.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 29W, 66W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5).
Інші пропозиції SIZ902DT-T1-GE3 за ціною від 42.35 грн до 148.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ902DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIRPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W, 66W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIZ902DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZ902DT-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIZ902DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/16A 8-Pin PowerPAIR T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIZ902DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W, 66W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) |
товару немає в наявності |