Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIZ926DT-T1-GE3
SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

siz926dt.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.02 грн
10+79.00 грн
100+48.22 грн
500+43.23 грн
1000+37.28 грн
3000+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20.2W, 40W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.

Інші пропозиції SIZ926DT-T1-GE3 за ціною від 38.95 грн до 138.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz926dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.93 грн
10+85.24 грн
100+57.32 грн
500+42.56 грн
1000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 Виробник : Vishay siz926dt.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 22A/37A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz926dt.pdf SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ926DT-T1-GE3 SIZ926DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz926dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.