Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ980DT-T1-GE3
SIZ980DT-T1-GE3

SIZ980DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

siz980dt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ980DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20W, 66W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.

Інші пропозиції SIZ980DT-T1-GE3 за ціною від 45.35 грн до 164.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ980DT-T1-GE3 SIZ980DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz980dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W, 66W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 7147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.26 грн
10+100.69 грн
100+68.32 грн
500+51.11 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3 SIZ980DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siz980dt.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.63 грн
10+104.14 грн
100+61.20 грн
500+48.82 грн
1000+45.80 грн
3000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3 SIZ980DT-T1-GE3 Виробник : Vishay siz980dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3 SIZ980DT-T1-GE3 Виробник : Vishay siz980dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ980DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz980dt.pdf SIZ980DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.