SIZ988DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 40W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair®
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 44.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZ988DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 40W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIZ988DT-T1-GE3 за ціною від 27.80 грн до 133.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZ988DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIZ988DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIZ988DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.2W, 40W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® Part Status: Active |
на замовлення 10248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIZ988DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|