SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix


siz998dt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIZ998DT-T1-GE3 за ціною від 36.90 грн до 157.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Виробник : Vishay siz998dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz998dt.pdf Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.45 грн
500+49.13 грн
1000+41.23 грн
5000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz998dt.pdf Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.74 грн
10+101.94 грн
100+72.45 грн
500+49.20 грн
1000+42.03 грн
5000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siz998dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.47 грн
10+91.68 грн
100+62.06 грн
500+46.34 грн
1000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siz998dt.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.71 грн
10+99.32 грн
100+58.35 грн
500+46.34 грн
1000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Виробник : Vishay siz998dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY siz998dt.pdf SIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.