Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIZ998DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 13878568-3
Price: 117390.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	39.13 грн
6000+	35.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIZ998DT-T1-GE3 за ціною від 31.96 грн до 176.38 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIZ998DT-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001811756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.74 грн
500+	42.63 грн
1000+	36.66 грн
5000+	31.96 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 8953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.57 грн
10+	86.08 грн
100+	58.28 грн
500+	43.52 грн
1000+	41.27 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 5723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.77 грн
10+	110.35 грн
100+	65.93 грн
500+	52.40 грн
1000+	48.19 грн
3000+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.38 грн
10+	105.51 грн
100+	72.41 грн
500+	49.06 грн
1000+	44.25 грн
5000+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	62.74 грн
500+	42.63 грн
1000+	36.66 грн
5000+	31.96 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 8953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	140.57 грн
10+	86.08 грн
100+	58.28 грн
500+	43.52 грн
1000+	41.27 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

на замовлення 5723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	174.77 грн
10+	110.35 грн
100+	65.93 грн
500+	52.40 грн
1000+	48.19 грн
3000+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIZ998DT-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ998DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 2200 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	176.38 грн
10+	105.51 грн
100+	72.41 грн
500+	49.06 грн
1000+	44.25 грн
5000+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.