Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3

SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sizf300dt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.84 грн
10+68.33 грн
100+53.17 грн
500+42.30 грн
1000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.

Інші пропозиції SIZF300DT-T1-GE3 за ціною від 43.41 грн до 97.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sizf300dt-1766399.pdf MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.36 грн
10+86.37 грн
100+58.41 грн
500+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3 Виробник : Vishay sizf300dt.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf300dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.