SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.76 грн |
| 10+ | 62.76 грн |
| 100+ | 48.84 грн |
| 500+ | 38.85 грн |
| 1000+ | 31.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.
Інші пропозиції SIZF300DT-T1-GE3 за ціною від 42.48 грн до 93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3 |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A/34A 6-Pin PowerPAIR T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
товар відсутній |