SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.12 грн |
| 10+ | 69.34 грн |
| 100+ | 53.96 грн |
| 500+ | 42.92 грн |
| 1000+ | 34.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 74W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 74W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZF300DT-T1-GE3 за ціною від 42.11 грн до 102.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm Verlustleistung, p-Kanal: 74W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 74W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3 |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 141 A, 141 A, 0.0016 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 141A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 141A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0016ohm Verlustleistung, p-Kanal: 74W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0016ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 74W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3 SIZF300DT TSIZF300dt кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A/34A 6-Pin PowerPAIR T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
SIZF300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
товару немає в наявності |