SIZF360DT-T1-GE3

SIZF360DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors


sizf360dt-1766550.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC
на замовлення 5936 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.09 грн
10+ 105.42 грн
100+ 79.71 грн
250+ 77.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZF360DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerPair™, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-PowerPair™, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIZF360DT-T1-GE3 за ціною від 115.69 грн до 115.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIZF360DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf360dt.pdf Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIZF360DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf360dt.pdf Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Part Status: Active
товар відсутній