Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIZF360DT-T1-GE3
SIZF360DT-T1-GE3

SIZF360DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sizf360dt.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.17 грн
10+116.76 грн
100+69.40 грн
500+55.63 грн
1000+51.25 грн
3000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZF360DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-PowerPair™, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerPair™, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIZF360DT-T1-GE3 за ціною від 125.96 грн до 125.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZF360DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf360dt.pdf Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF360DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf360dt.pdf Description: MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerPair™
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.