Продукція > VISHAY SILICONIX > SIZF4800LDT-T1-GE3
SIZF4800LDT-T1-GE3

SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sizf4800ldt.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+47.81 грн
6000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerPair™, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS.

Інші пропозиції SIZF4800LDT-T1-GE3 за ціною від 45.39 грн до 166.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay / Siliconix sizf4800ldt.pdf MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 80V 10A
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.75 грн
10+104.39 грн
100+61.87 грн
500+49.16 грн
1000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3 SIZF4800LDT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf4800ldt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.54 грн
10+103.33 грн
100+70.41 грн
500+52.85 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3 sizf4800ldt.pdf
SIZF4800LDT-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 80V 10A
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.75 грн
10+104.39 грн
100+61.87 грн
500+49.16 грн
1000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF4800LDT-T1-GE3 sizf4800ldt.pdf
SIZF4800LDT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.54 грн
10+103.33 грн
100+70.41 грн
500+52.85 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.