SIZF5300DT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 105.09 грн |
| 500+ | 72.49 грн |
| 1000+ | 61.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF5300DT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZF5300DT-T1-GE3 за ціною від 59.60 грн до 221.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF5300DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 13410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZF5300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active |
на замовлення 2852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZF5300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 35A |
на замовлення 7858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIZF5300DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 125A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active |
товару немає в наявності |