SIZF5302DT-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 85.62 грн |
| 500+ | 67.58 грн |
| 1000+ | 52.64 грн |
| 5000+ | 51.37 грн |
| 10000+ | 50.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF5302DT-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIZF5302DT-T1-RE3 за ціною від 50.03 грн до 188.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF5302DT-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF5302DT-T1-RE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZF5302DT-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V |
на замовлення 10326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIZF5302DT-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active |
на замовлення 3803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIZF5302DT-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerPair™ Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 48.1W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 3x3FS Part Status: Active |
товару немає в наявності |