SIZF680LDT-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 72A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 72A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 176.14 грн |
| 500+ | 136.04 грн |
| 1000+ | 119.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF680LDT-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 72A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIZF680LDT-T1-GE3 за ціною від 119.04 грн до 258.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF680LDT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 72A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIZF680LDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: SYMMETRIC DUAL N-CH 80-V (D-S) M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.2W (Ta), 62.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), 72A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAIR® 6 x 5FS |
товару немає в наявності |