Продукція > VISHAY > SIZF906ADT-T1-GE3
SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay

sizf906adt.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+53.67 грн
232+52.84 грн
236+52.01 грн
250+49.36 грн
500+44.96 грн
1000+42.45 грн
3000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5).

Інші пропозиції SIZF906ADT-T1-GE3 за ціною від 44.73 грн до 126.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZF906ADT-T1-GE3 SIZF906ADT-T1-GE3 Виробник : Vishay sizf906adt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+58.39 грн
13+57.50 грн
25+56.62 грн
100+53.74 грн
250+48.97 грн
500+46.25 грн
1000+45.48 грн
3000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3 SIZF906ADT-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sizf906adt.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.77 грн
10+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3 SIZF906ADT-T1-GE3 Виробник : Vishay sizf906adt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sizf906adt.pdf SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3 SIZF906ADT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf906adt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3 SIZF906ADT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf906adt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.