на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 50.59 грн |
| 25+ | 50.43 грн |
| 50+ | 48.55 грн |
| 100+ | 43.22 грн |
| 250+ | 41.48 грн |
| 500+ | 40.36 грн |
| 1000+ | 39.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 257A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung, p-Kanal: 83W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 83W, Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIZF906BDT-T1-GE3 за ціною від 42.29 грн до 204.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF906BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIZF906BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIZF906BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V |
на замовлення 23581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIZF906BDT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) |
на замовлення 22279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIZF906BDT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 257A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung, p-Kanal: 83W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |