| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 63.17 грн |
| 25+ | 62.97 грн |
| 50+ | 60.62 грн |
| 100+ | 53.97 грн |
| 250+ | 51.80 грн |
| 500+ | 50.40 грн |
| 1000+ | 49.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 257A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung, p-Kanal: 83W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 83W, Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIZF906BDT-T1-GE3 за ціною від 49.03 грн до 63.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V |
на замовлення 23256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SIZF906BDT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 257A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung, p-Kanal: 83W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIZF906BDT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 224+ | 63.17 грн |
| 225+ | 62.86 грн |
| 234+ | 58.29 грн |
| 250+ | 53.95 грн |
| 500+ | 50.40 грн |
| 1000+ | 49.03 грн |
| SIZF906BDT-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V
на замовлення 23256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIZF906BDT-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)