Інші пропозиції SIZF906DT-T1-GE3 за ціною від 41.64 грн до 121.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SiZF906DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIRPart Status: Active Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SiZF906DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIRSupplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active |
на замовлення 16133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SiZF906DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5 |
на замовлення 8964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|


