Продукція > VISHAY SILICONIX > SiZF906DT-T1-GE3
SiZF906DT-T1-GE3

SiZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sizf906dt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.17 грн
6000+46.01 грн
9000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.

Інші пропозиції SiZF906DT-T1-GE3 за ціною від 48.17 грн до 132.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiZF906DT-T1-GE3 SiZF906DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf906dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 16133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.44 грн
10+95.54 грн
100+74.33 грн
500+59.13 грн
1000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiZF906DT-T1-GE3 SiZF906DT-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sizf906dt.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.75 грн
10+108.02 грн
100+73.16 грн
500+61.55 грн
1000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DT-T1-GE3
Код товару: 186042
Додати до обраних Обраний товар

sizf906dt.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DT-T1-GE3 SIZF906DT-T1-GE3 Виробник : Vishay sizf906dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906DT-T1-GE3 SIZF906DT-T1-GE3 Виробник : Vishay sizf906dt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.