SiZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 43.86 грн |
| 6000+ | 40.23 грн |
| 9000+ | 38.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.
Інші пропозиції SiZF906DT-T1-GE3 за ціною від 42.11 грн до 116.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SiZF906DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W (Tc), 83W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
на замовлення 16133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SiZF906DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5 |
на замовлення 8964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIZF906DT-T1-GE3 Код товару: 186042 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
SIZF906DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SIZF906DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 27A/52A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SiZF906DT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors |
товар відсутній |