Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIZF916DT-T1-GE3
SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sizf916dt.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.01 грн
10+86.09 грн
100+63.12 грн
500+55.26 грн
1000+47.26 грн
3000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH DUAL 30V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.

Інші пропозиції SIZF916DT-T1-GE3 за ціною від 67.63 грн до 130.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZF916DT-T1-GE3 SIZF916DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf916dt.pdf Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.20 грн
10+111.92 грн
100+87.24 грн
500+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sizf916dt.pdf SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF916DT-T1-GE3 SIZF916DT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sizf916dt.pdf Description: MOSFET N-CH DUAL 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.