
SIZF920DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 11012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.87 грн |
10+ | 102.97 грн |
100+ | 74.86 грн |
250+ | 72.36 грн |
500+ | 65.91 грн |
1000+ | 59.08 грн |
3000+ | 56.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIZF920DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5), Part Status: Active.
Інші пропозиції SIZF920DT-T1-GE3 за ціною від 59.20 грн до 200.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIZF920DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIZF920DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
SIZF920DT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
товару немає в наявності |