Продукція > Транзистори > IGBT > SKM150GAL12T4 Semikron
SKM150GAL12T4

SKM150GAL12T4 Semikron

skm150gal12t4.pdf
Код товару: 175855
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Semikron
Корпус: 94x34x30 mm
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 232 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 179 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 180/410
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+605.00 грн
10+544.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM150GAL12T4 за ціною від 5584.44 грн до 7556.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SKM150GAL12T4 22892300 SKM150GAL12T4 22892300 SEMIKRON DANFOSS SKM150GAL12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 179A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7556.48 грн
3+6315.82 грн
5+5584.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM150GAL12T4 SKM150GAL12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0002552656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM150GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 232A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 232A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM150GAL12T4 22892300 SKM150GAL12T4.pdf
SKM150GAL12T4 22892300
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 179A
Case: SEMITRANS2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7556.48 грн
3+6315.82 грн
5+5584.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM150GAL12T4 SEMI-S-A0002552656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM150GAL12T4
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM150GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 232A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 232A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.