SLA5037 Sanken Electric Company, Ltd.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 401.35 грн |
| 38+ | 384.11 грн |
| 50+ | 369.48 грн |
| 100+ | 344.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
36 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SLA5037 Sanken Electric Company, Ltd.
Description: MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP, Packaging: Tube, Package / Case: 12-SIP Exposed Tab, Mounting Type: Through Hole, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA, Supplier Device Package: 12-SIP.
Інші пропозиції SLA5037
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SLA5037 | Sanken Electric USA Inc. |
 Description: MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIPPackaging: Tube Package / Case: 12-SIP Exposed Tab Mounting Type: Through Hole Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Supplier Device Package: 12-SIP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. |
| SLA5037 |
|
Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 12-SIP Exposed Tab
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: 12-SIP
Description: MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 12-SIP Exposed Tab
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: 12-SIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику
од. на суму грн.