SLA5037 Sanken Electric Company, Ltd.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 397.80 грн |
| 38+ | 380.71 грн |
| 50+ | 366.21 грн |
| 100+ | 341.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
36 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SLA5037 Sanken Electric Company, Ltd.
Description: MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP, Supplier Device Package: 12-SIP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA, FET Feature: Logic Level Gate, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Power - Max: 5W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 4 N-Channel, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 12-SIP Exposed Tab, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SLA5037
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SLA5037 | Sanken Electric USA Inc. |
 Description: MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIPSupplier Device Package: 12-SIP Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA FET Feature: Logic Level Gate Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 4 N-Channel Mounting Type: Through Hole Package / Case: 12-SIP Exposed Tab Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. |
| SLA5037 |
|
Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
Supplier Device Package: 12-SIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 12-SIP Exposed Tab
Packaging: Tube
Description: MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
Supplier Device Package: 12-SIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 12-SIP Exposed Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику
од. на суму грн.