SMA5106 Sanken Electric Company, Ltd.
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 178.53 грн |
| 79+ | 164.21 грн |
| 100+ | 159.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMA5106 Sanken Electric Company, Ltd.
Description: MOSFET 4N-CH 100V 4A 12SIP, Packaging: Tube, Package / Case: 12-SIP, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 4 NPN Darlington (Quad), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 4W (Ta), 28W (Tc), Current - Collector (Ic) (Max): 5A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V, Supplier Device Package: 12-SIP, Part Status: Active, Configuration: 4 N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA.
Інші пропозиції SMA5106 за ціною від 245.26 грн до 245.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SMA5106 | Виробник : Sanken Electric Company, Ltd. |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4A 12-Pin SIP |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| SMA5106 | Виробник : SANKEN |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| SMA5106 | Виробник : SANKEN |
03+ ZIP |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| SMA5106 | Виробник : SANKEN |
09+ SSOP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| SMA5106 | Виробник : SANKEN |
2006 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
SMA5106 | Виробник : Sanken Electric USA Inc. |
Description: MOSFET 4N-CH 100V 4A 12SIP Packaging: Tube Package / Case: 12-SIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 4 NPN Darlington (Quad) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 4W (Ta), 28W (Tc) Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Supplier Device Package: 12-SIP Part Status: Active Configuration: 4 N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA |
товару немає в наявності |