SMA5125 Sanken Electric Company, Ltd.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 542.17 грн |
| 32+ | 459.70 грн |
| 50+ | 428.16 грн |
| 100+ | 397.66 грн |
| 200+ | 355.21 грн |
| 500+ | 326.45 грн |
| 1000+ | 313.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
27 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMA5125 Sanken Electric Company, Ltd.
Description: MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12SIP, Packaging: Tube, Package / Case: 12-SIP, Mounting Type: Through Hole, Configuration: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, 1200pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-SIP.
Інші пропозиції SMA5125
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SMA5125 | Sanken Electric USA Inc. |
 Description: MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12SIPPackaging: Tube Package / Case: 12-SIP Mounting Type: Through Hole Configuration: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 12-SIP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SMA5125 |
|
Виробник: Sanken Electric USA Inc.
Description: MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 12-SIP
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-SIP
Description: MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 12-SIP
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-SIP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.