SMBJ33CAHE3_B/I

SMBJ33CAHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


smbj.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3200+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMBJ33CAHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; ±5%; SMB; SMBJ, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 33V, Breakdown voltage: 36.7...40.6V, Max. forward impulse current: 11.3A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 1µA, Manufacturer series: SMBJ, Tolerance: ±5%, Technology: TransZorb®, Features of semiconductor devices: glass passivated, Application: automotive industry, Kind of package: 13 inch reel; tape.

Інші пропозиції SMBJ33CAHE3_B/I за ціною від 11.44 грн до 56.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMBJ33CAHE3_B/I SMBJ33CAHE3_B/I Виробник : Vishay smbj.pdf Diode TVS Single Bi-Dir 33V 600W Automotive AEC-Q101 2-Pin SMB T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6400+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 6400
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHE3_B/I SMBJ33CAHE3_B/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.56 грн
10+37.71 грн
100+24.44 грн
500+17.57 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHE3_B/I SMBJ33CAHE3_B/I Виробник : Vishay General Semiconductor smbj.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 600W,33V 5%,BIDIR,SMB TVS
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.59 грн
10+41.45 грн
100+23.35 грн
500+17.95 грн
1000+16.14 грн
2500+13.79 грн
5000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHE3_B/I Виробник : Vishay smbj.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes 600W,33V 5%,BIDIR,SMB TVS
на замовлення 6145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.45 грн
10+41.18 грн
100+24.84 грн
500+19.36 грн
1000+15.75 грн
2500+14.03 грн
10000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHE3_B/I SMBJ33CAHE3_B/I Виробник : Vishay smbj.pdf Diode TVS Single Bi-Dir 33V 600W Automotive AEC-Q101 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHE3_B/I Виробник : Vishay smbj.pdf Diode TVS Single Bi-Dir 33V 600W Automotive AEC-Q101 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHE3_B\I Виробник : Vishay ESD Protection Diodes / TVS Diodes 600W,33V 5%,BIDIR,SMB TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHE3_B/I Виробник : VISHAY smbj.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36.7÷40.6V; 11.3A; bidirectional; ±5%; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 11.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Tolerance: ±5%
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.