
SMBJ33CAHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3200+ | 14.70 грн |
6400+ | 11.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBJ33CAHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: Telecom, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 36.7V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SMBJ33CAHE3_B/I за ціною від 11.04 грн до 60.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMBJ33CAHE3_B/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Telecom Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMBJ33CAHE3_B/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMBJ33CAHE3_B/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SMBJ33CAHE3_B/I | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 36.7V; 11.3A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7V Max. forward impulse current: 11.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMBJ Operating temperature: -55...150°C Application: automotive industry Number of channels: 1 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SMBJ33CAHE3_B/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SMBJ33CAHE3_B/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
SMBJ33CAHE3_B/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
SMBJ33CAHE3_B\I | Виробник : Vishay | 600W,33V 5%,BIDIR,SMB TVS |
товару немає в наявності |