SMMA511DJ-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SMMA511DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
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Dauer-Drainstrom Id: 4.5
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Verlustleistung Pd: 6.5
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12
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Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 356.49 грн |
| 10+ | 284.04 грн |
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Технічний опис SMMA511DJ-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SMMA511DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033, Verlustleistung Pd: 6.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400, Verlustleistung, p-Kanal: 6.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Інші пропозиції SMMA511DJ-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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SMMA511DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SMMA511DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033 Verlustleistung, p-Kanal: 6.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033 productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.5 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMMA511DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
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SMMA511DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual |
товару немає в наявності |