SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB Rohm


SP8M3.pdf
Код товару: 26073
Виробник: Rohm
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 230/3,9
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 13 шт:

6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна без ПДВ
1+29 грн
10+ 27 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SP8M3FU6TB Rohm

  • MOSFET, DUAL, NP
  • Module Configuration:NP
  • Max Current Id:5A
  • Max Voltage Vds:30V
  • On State Resistance:0.082ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOP
  • Case Style:SOP-8
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:NP
  • Transistor Type:MOSFET
  • Cont Current Id:4.5A
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:18A
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4V

Інші пропозиції SP8M3FU6TB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SP8M3FU6TB SP8M3FU6TB Виробник : Rohm Semiconductor SP8M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3FU6TB SP8M3FU6TB Виробник : Rohm Semiconductor SP8M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SP8M3FU6TB SP8M3FU6TB Виробник : ROHM Semiconductor rohm_SP8M3-1201592.pdf MOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
товар відсутній

З цим товаром купують

LP2985A-33DBVR
Код товару: 31082
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flp2985
LP2985A-33DBVR
Виробник: TI
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-23-5
Uin, V: 16 V
Uout,V: 3,3 V
Iout,A: 0,15 A
Udrop, V: 0,575
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
у наявності: 212 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 16.2 грн
100+ 14.5 грн
FDS8958A
Код товару: 34126
fds8958a-d.pdf
FDS8958A
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/10,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 81 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16.5 грн
10+ 14.9 грн
820uF 25V EFH 10x25mm (EFH821M25B-Hitano)
Код товару: 114673
efh_20160323.pdf
820uF 25V EFH 10x25mm (EFH821M25B-Hitano)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 820 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EFH
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х25mm
Строк життя: 7000 годин
у наявності: 675 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7 грн
10+ 6.1 грн
100+ 5.4 грн
ES1J
Код товару: 3349
ES1 series.pdf
ES1J
Виробник: YJ/TSC/HOTTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
у наявності: 3729 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4 грн
10+ 3.5 грн
100+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 2
1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2456
EXR_080421.pdf
1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
очікується: 3000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 5.8 грн