SQ1431EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.65 грн |
| 6000+ | 12.48 грн |
| 9000+ | 11.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1431EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.175 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQ1431EH-T1_GE3 за ціною від 12.14 грн до 75.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ1431EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.175 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1431EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V |
на замовлення 16828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ1431EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 153424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1431EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.175 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ1431EH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70 |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQ1431EH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70 |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQ1431EH-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70 |
товару немає в наявності |