SQ1440EH-T1_GE3

SQ1440EH-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq1440eh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.99 грн
6000+12.44 грн
9000+11.75 грн
15000+11.00 грн
21000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ1440EH-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ1440EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-363, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ1440EH-T1_GE3 за ціною від 11.83 грн до 53.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ1440EH-T1_GE3 SQ1440EH-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq1440eh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.39 грн
14+23.49 грн
100+19.32 грн
500+17.05 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3 SQ1440EH-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq1440eh.pdf MOSFETs 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.72 грн
11+31.32 грн
100+20.69 грн
500+17.04 грн
1000+13.84 грн
3000+12.35 грн
9000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3 SQ1440EH-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3926791.pdf Description: VISHAY - SQ1440EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.17 грн
19+44.24 грн
100+29.80 грн
500+21.70 грн
1000+15.53 грн
3000+15.31 грн
6000+13.38 грн
12000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3 SQ1440EH-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq1440eh-1324690.pdf MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.