SQ1464EEH-T1_GE3

SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq1464eeh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.43 грн
6000+8.65 грн
9000+8.00 грн
15000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQ1464EEH-T1_GE3 за ціною від 6.85 грн до 35.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611856.pdf Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.42 грн
500+13.10 грн
1500+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1464eeh.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
736+16.59 грн
1158+10.54 грн
1205+10.13 грн
1219+9.66 грн
1418+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 736
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1464eeh.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+21.07 грн
37+16.48 грн
40+15.41 грн
100+9.44 грн
250+8.40 грн
500+7.97 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611856.pdf Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.03 грн
50+23.77 грн
100+16.42 грн
500+13.10 грн
1500+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq1464eeh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
15+20.92 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq1464eeh.pdf MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.96 грн
13+27.67 грн
100+14.27 грн
1000+9.49 грн
3000+8.53 грн
9000+7.65 грн
24000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1464eeh.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1464eeh.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.