SQ1464EEH-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.36 грн |
| 500+ | 10.05 грн |
| 1000+ | 9.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1464EEH-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQ1464EEH-T1_GE3 за ціною від 7.11 грн до 55.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70 |
на замовлення 6328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 46447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |


