SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.17 грн |
| 6000+ | 11.63 грн |
| 9000+ | 11.09 грн |
| 15000+ | 9.84 грн |
| 21000+ | 9.51 грн |
| 30000+ | 9.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 430mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm.
Інші пропозиції SQ1464EEH-T1_GE3 за ціною від 8.53 грн до 55.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 46447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70 |
на замовлення 6328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SQ1464EEH-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 430mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm |
на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 736+ | 19.19 грн |
| 1158+ | 12.19 грн |
| 1205+ | 11.71 грн |
| 1219+ | 11.17 грн |
| 1418+ | 8.89 грн |
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.25 грн |
| 37+ | 20.53 грн |
| 40+ | 19.19 грн |
| 100+ | 11.76 грн |
| 250+ | 10.46 грн |
| 500+ | 9.93 грн |
| 1000+ | 8.53 грн |
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.53 грн |
| 10+ | 33.36 грн |
| 100+ | 21.53 грн |
| 500+ | 15.41 грн |
| 1000+ | 13.87 грн |
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)