SQ1470AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.89 грн |
| 6000+ | 11.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1470AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ1470AEH-T1_GE3 за ціною від 9.88 грн до 69.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ1470AEH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ1470AEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 268633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ1470AEH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ1470AEH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 209136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SQ1470AEH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQ1470AEH-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|