на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1539EH-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ1539EH-T1_GE3 за ціною від 9.01 грн до 41.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 15888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 174826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 850/-850mA On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.6/1.4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC70-6; SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 850/-850mA On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.6/1.4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC70-6; SOT363 |
товар відсутній |