Продукція > VISHAY > SQ1539EH-T1_GE3
SQ1539EH-T1_GE3

SQ1539EH-T1_GE3 Vishay

sq1539eh.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ1539EH-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQ1539EH-T1_GE3 за ціною від 10.57 грн до 34.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq1539eh.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.41 грн
6000+11.62 грн
9000+11.45 грн
15000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0004852743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.02 грн
500+14.97 грн
1500+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1539eh.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1539eh.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq1539eh.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.85/-0.85A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.08 грн
22+18.96 грн
25+16.88 грн
29+14.47 грн
50+13.14 грн
100+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq1539eh.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 19211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.36 грн
18+19.46 грн
25+17.36 грн
100+14.07 грн
250+13.02 грн
500+12.39 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq1539eh.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.85/-0.85A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.09 грн
14+23.63 грн
15+20.26 грн
25+17.36 грн
50+15.77 грн
100+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0004852743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+34.03 грн
50+21.14 грн
100+17.02 грн
500+14.97 грн
1500+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq1539eh.pdf MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 162308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.56 грн
18+21.12 грн
100+14.69 грн
500+13.97 грн
1000+13.33 грн
3000+11.82 грн
9000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1539eh.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1539eh.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.