SQ1539EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.27 грн |
| 6000+ | 10.55 грн |
| 9000+ | 10.40 грн |
| 15000+ | 9.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1539EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQ1539EH-T1_GE3 за ціною від 9.90 грн до 73.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
на замовлення 19211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 162308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |