SQ1539EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.24 грн |
| 6000+ | 10.52 грн |
| 9000+ | 10.37 грн |
| 15000+ | 9.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1539EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SQ1539EH-T1_GE3 за ціною від 10.57 грн до 29.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V Power - Max: 1.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V |
на замовлення 19211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 1.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.85/-0.85A Power dissipation: 1.5W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.6/1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 143466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SQ1539EH-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SQ1539EH-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ1539EH-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.17 грн |
| SQ1539EH-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.33 грн |
| SQ1539EH-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 19211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.59 грн |
| 18+ | 17.62 грн |
| 25+ | 15.72 грн |
| 100+ | 12.74 грн |
| 250+ | 11.79 грн |
| 500+ | 11.22 грн |
| 1000+ | 10.57 грн |
| SQ1539EH-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.85/-0.85A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.85/-0.85A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 29.74 грн |
| 19+ | 23.10 грн |
| 21+ | 20.58 грн |
| 25+ | 18.91 грн |
| 50+ | 18.24 грн |
| 100+ | 17.66 грн |
| 250+ | 16.82 грн |
| 3000+ | 14.56 грн |
| SQ1539EH-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 143466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQ1539EH-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQ1539EH-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)