Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ1563AEH-T1_GE3
SQ1563AEH-T1_GE3

SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq1563aeh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQ1563AEH-T1_GE3 за ціною від 10.41 грн до 29.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ1563AEH-T1_GE3 SQ1563AEH-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq1563aeh.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.88 грн
16+19.54 грн
25+17.41 грн
100+14.13 грн
250+13.07 грн
500+12.43 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3 SQ1563AEH-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq1563aeh.pdf MOSFETs N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 306337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.22 грн
18+17.87 грн
100+12.42 грн
500+11.80 грн
1000+11.31 грн
3000+10.69 грн
6000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3 SQ1563AEH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1563aeh.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductor sq1563aeh.pdf Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 850 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 89 @ 10, 84 @ 10, Qg, нКл = 1,25 @ 4,5 В, 1,33 @ 4,5 В, Rds = 280 мОм @ 850 мA, 4,5 В, 575 мОм @ 800 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип мон
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.