SQ1902AEL-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.15 грн |
| 500+ | 19.52 грн |
| 1000+ | 17.18 грн |
| 5000+ | 15.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1902AEL-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SQ1902AEL-T1_GE3 за ціною від 11.52 грн до 64.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ1902AEL-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 4206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ1902AEL-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SQ1902AEL-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 54.26 грн |
| 10+ | 37.18 грн |
| 100+ | 21.86 грн |
| 500+ | 16.76 грн |
| 1000+ | 14.59 грн |
| 3000+ | 12.92 грн |
| 6000+ | 11.52 грн |
| SQ1902AEL-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 64.44 грн |
| 21+ | 40.33 грн |
| 100+ | 26.15 грн |
| 500+ | 19.52 грн |
| 1000+ | 17.18 грн |
| 5000+ | 15.64 грн |