
SQ1902AEL-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 28.09 грн |
500+ | 18.44 грн |
1000+ | 15.35 грн |
5000+ | 11.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1902AEL-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ1902AEL-T1_GE3 за ціною від 11.49 грн до 66.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQ1902AEL-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 5356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQ1902AEL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm Verlustleistung, p-Kanal: 430mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 430mW Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQ1902AEL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
SQ1902AEL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
SQ1902AEL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 430mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SQ1902AEL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 430mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |