
SQ1912EH-T1_GE3 Vishay
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1365+ | 8.92 грн |
1369+ | 8.89 грн |
1386+ | 8.79 грн |
2000+ | 8.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1912EH-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ1912EH-T1_GE3 за ціною від 7.11 грн до 45.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 185315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |