Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ1922AEEH-T1_GE3
SQ1922AEEH-T1_GE3

SQ1922AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq1922aeeh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.71 грн
6000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ1922AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQ1922AEEH-T1_GE3 за ціною від 8.37 грн до 51.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ1922AEEH-T1_GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq1922aeeh.pdf Description: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.64 грн
500+13.53 грн
1000+10.47 грн
5000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq1922aeeh.pdf Description: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.64 грн
28+29.55 грн
100+22.06 грн
500+15.65 грн
1000+11.51 грн
5000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq1922aeeh.pdf MOSFETs Dual Nch 20V Vds SOT-363
на замовлення 144558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.67 грн
12+28.04 грн
100+16.11 грн
500+14.15 грн
1000+11.61 грн
3000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq1922aeeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.81 грн
10+31.07 грн
100+19.98 грн
500+14.26 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1922aeeh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.