Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ1922EEH-T1_GE3
SQ1922EEH-T1_GE3

SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq1922eeh.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.62 грн
6000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SQ1922EEH-T1_GE3 за ціною від 10.81 грн до 53.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ1922EEH-T1_GE3 SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay sq1922eeh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.01 грн
40+18.93 грн
50+18.23 грн
100+15.02 грн
250+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay sq1922eeh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
672+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 672 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1922eeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.96 грн
10+32.16 грн
100+20.71 грн
500+14.80 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq1922eeh.pdf MOSFETs 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 302314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 SQ1922EEH-T1_GE3 VISHAY sq1922eeh.pdf Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 SQ1922EEH-T1_GE3 VISHAY sq1922eeh.pdf Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 sq1922eeh.pdf
SQ1922EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+21.01 грн
40+18.93 грн
50+18.23 грн
100+15.02 грн
250+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 sq1922eeh.pdf
SQ1922EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
672+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 672 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 sq1922eeh.pdf
SQ1922EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.96 грн
10+32.16 грн
100+20.71 грн
500+14.80 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 sq1922eeh.pdf
SQ1922EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 302314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 sq1922eeh.pdf
SQ1922EEH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 sq1922eeh.pdf
SQ1922EEH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.