SQ2301ES-T1_BE3 Vishay Siliconix


SQ2301CES-Datasheet.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.93 грн
10+36.47 грн
50+26.69 грн
100+22.09 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2301ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2301ES-T1_BE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301ES-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ2301CES-Datasheet.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301ES-T1_BE3 Vishay / Siliconix SQ2301CES-Datasheet.pdf MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301ES-T1_BE3 VISHAY SQ2301CES-Datasheet.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -15A; 3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 Vishay SQ2301CES-Datasheet.pdf SQ2301ES-T1_BE3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301CES-Datasheet.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301CES-Datasheet.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301CES-Datasheet.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -15A; 3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_BE3 SQ2301CES-Datasheet.pdf
Виробник: Vishay
SQ2301ES-T1_BE3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.