SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.25 грн |
| 6000+ | 12.85 грн |
| 9000+ | 11.97 грн |
| 15000+ | 11.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ2301ES-T1_GE3 за ціною від 12.17 грн до 64.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2301ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 14981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ2301ES-T1-GE3 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
SQ2301ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3 |
товару немає в наявності |