Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2301ES-T1_GE3
SQ2301ES-T1_GE3

SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2301es.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.42 грн
6000+11.85 грн
9000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2301ES-T1_GE3 за ціною від 10.33 грн до 56.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 VISHAY SQ2301ES.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.92 грн
14+30.68 грн
20+27.65 грн
100+20.84 грн
250+17.65 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq2301es.pdf MOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.15 грн
10+32.92 грн
100+19.13 грн
500+14.59 грн
1000+13.06 грн
3000+11.03 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2301es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
10+33.89 грн
100+21.89 грн
500+15.68 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES.pdf
SQ2301ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+38.92 грн
14+30.68 грн
20+27.65 грн
100+20.84 грн
250+17.65 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 sq2301es.pdf
SQ2301ES-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.15 грн
10+32.92 грн
100+19.13 грн
500+14.59 грн
1000+13.06 грн
3000+11.03 грн
6000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 sq2301es.pdf
SQ2301ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.56 грн
10+33.89 грн
100+21.89 грн
500+15.68 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.