SQ2301ES-T1_GE3

SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq2301es.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.86 грн
6000+12.49 грн
9000+11.64 грн
15000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQ2301ES-T1_GE3 за ціною від 10.64 грн до 48.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614533.pdf Description: VISHAY - SQ2301ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.25 грн
24+34.98 грн
100+26.13 грн
500+19.07 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2301es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236 (SOT-23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.49 грн
10+34.11 грн
100+23.52 грн
500+16.85 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 SQ2301ES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2301es.pdf MOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 17752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.70 грн
10+35.77 грн
100+22.55 грн
500+17.19 грн
1000+14.14 грн
3000+12.13 грн
9000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2301es.pdf SQ2301ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.08 грн
61+18.05 грн
166+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301ES-T1-GE3 SQ2301ES-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQ2301ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.