Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2303ES-T1_GE3
SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2303es.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.95 грн
6000+12.32 грн
9000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2303ES-T1_GE3 за ціною від 11.01 грн до 37.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2303ES-T1_GE3 SQ2303ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2303es.pdf Description: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.53 грн
500+17.59 грн
1000+11.78 грн
5000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3 SQ2303ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2303es.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.77 грн
14+25.60 грн
100+21.03 грн
500+16.31 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3 SQ2303ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2303es.pdf MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 165725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.73 грн
13+29.18 грн
100+20.89 грн
500+16.73 грн
1000+15.05 грн
3000+12.89 грн
6000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3 SQ2303ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0020776375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2303ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.17 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.80 грн
30+29.99 грн
100+24.60 грн
500+19.76 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2303es.pdf SQ2303ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.93 грн
70+17.21 грн
191+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2303ES-T1_GE3 SQ2303ES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2303es.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.