Продукція > VISHAY > SQ2308CES-T1_GE3
SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+26.64 грн
500+18.99 грн
1500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2308CES-T1_GE3 за ціною від 14.66 грн до 65.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Vishay sq2308ces.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+41.22 грн
500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq2308ces.pdf MOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.17 грн
10+40.07 грн
100+22.69 грн
500+17.39 грн
1000+15.71 грн
3000+15.50 грн
6000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.58 грн
50+40.90 грн
100+26.64 грн
500+18.99 грн
1500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
344+41.22 грн
500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.17 грн
10+40.07 грн
100+22.69 грн
500+17.39 грн
1000+15.71 грн
3000+15.50 грн
6000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ2308CES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+65.58 грн
50+40.90 грн
100+26.64 грн
500+18.99 грн
1500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.