Продукція > VISHAY > SQ2308CES-T1_GE3
SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3 Vishay

sq2308ces.pdf Виробник: Vishay
Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2308CES-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2308CES-T1_GE3 за ціною від 15.96 грн до 75.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.86 грн
500+21.93 грн
1500+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABA40EF964F620D3&compId=sq2308ces.pdf?ci_sign=9e7749bf4a3c61612b1b3b2f9bc6b9cc3aa251f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.30 грн
14+29.93 грн
43+21.69 грн
100+21.38 грн
118+20.51 грн
500+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABA40EF964F620D3&compId=sq2308ces.pdf?ci_sign=9e7749bf4a3c61612b1b3b2f9bc6b9cc3aa251f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.37 грн
10+37.29 грн
43+26.03 грн
100+25.65 грн
118+24.61 грн
500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2308ces.pdf MOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.94 грн
10+43.62 грн
100+24.70 грн
500+18.93 грн
1000+17.10 грн
3000+16.87 грн
6000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 27733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.88 грн
50+47.32 грн
100+30.86 грн
500+21.93 грн
1500+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2308ces.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2308ces.pdf MOSFET N-CH 60V 2.3A
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1-GE3 Виробник : Vishay sq2308ces.pdf Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2308ces.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.