Продукція > VISHAY > SQ2308CES-T1_GE3
SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3 Vishay

sq2308ces.pdf Виробник: Vishay
Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2308CES-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2308CES-T1_GE3 за ціною від 16.95 грн до 75.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.61 грн
500+21.11 грн
1500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2308ces.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
344+38.05 грн
500+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 344
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2308ces.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.43 грн
14+31.78 грн
50+25.39 грн
100+22.70 грн
500+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2308ces.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2A; Idm: 9A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.11 грн
10+39.61 грн
50+30.47 грн
100+27.24 грн
500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+72.89 грн
50+45.46 грн
100+29.61 грн
500+21.11 грн
1500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2308ces.pdf MOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.34 грн
10+46.32 грн
100+26.23 грн
500+20.10 грн
1000+18.16 грн
3000+17.92 грн
6000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2308ces.pdf MOSFET N-CH 60V 2.3A
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1-GE3 Виробник : Vishay sq2308ces.pdf Trans Mosfet N-Ch 60V 2.3A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1-GE3 SQ2308CES-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2308ces.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.