SQ2308FES-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.52 грн |
| 500+ | 16.24 грн |
| 1000+ | 13.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2308FES-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ2308FES-T1_GE3 за ціною від 8.36 грн до 44.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ2308FES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2308FES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2308FES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 24434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ2308FES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Degree C MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SQ2308FES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SQ2308FES-T1/GE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SQ2308FES-T1-GE3 | Виробник : Vishay | 60V N-CHANNEL (D-S)175C |
товару немає в наявності |