Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2309CES-T1_BE3
SQ2309CES-T1_BE3

SQ2309CES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2309ces.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.34 грн
23+13.64 грн
25+12.05 грн
100+9.73 грн
250+8.97 грн
500+8.51 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2309CES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQ2309CES-T1_BE3 за ціною від 7.09 грн до 46.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2309CES-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2309ces.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.73 грн
12+28.23 грн
100+16.62 грн
500+12.03 грн
1000+10.22 грн
3000+7.51 грн
6000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_BE3 SQ2309CES-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2309ces.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.