Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQ2309CES-T1_GE3
SQ2309CES-T1_GE3

SQ2309CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sq2309ces.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 , 370 mohm a. 10V, 500 mohm a. 4.5V
на замовлення 10011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.53 грн
11+33.36 грн
100+19.83 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2309CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2309CES-T1_GE3 за ціною від 8.93 грн до 45.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2309CES-T1_GE3 SQ2309CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2309ces.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.54 грн
12+27.19 грн
100+17.41 грн
500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2309ces.pdf P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET EC-Q101 qualified SOT-23-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1_GE3 SQ2309CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2309ces.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309CES-T1-GE3 Виробник : Vishay MOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.