Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2309ES-T1_BE3
SQ2309ES-T1_BE3

SQ2309ES-T1_BE3 Vishay Siliconix


Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.59 грн
6000+14.25 грн
9000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2309ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2309ES-T1_BE3 за ціною від 12.28 грн до 54.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2309ES-T1_BE3 SQ2309ES-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 335mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.05 грн
10+38.03 грн
100+26.46 грн
500+19.39 грн
1000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3 SQ2309ES-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 327668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.16 грн
10+39.02 грн
100+24.63 грн
500+19.22 грн
1000+15.61 грн
3000+13.25 грн
9000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1"BE3 SQ2309ES-T1"BE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQ2309ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.7A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+54.23 грн
25+46.14 грн
50+39.66 грн
100+30.82 грн
250+25.67 грн
500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 265 @ 25, Qg, нКл = 8,5 @ 10 В, Rds = 335 мОм @ 1,25 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-BE3 SQ2309ES-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFET P-CH 60V 1.7A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.