Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2309ES-T1_GE3
SQ2309ES-T1_GE3

SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2309es.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.63 грн
6000+14.28 грн
9000+13.26 грн
30000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2309ES-T1_GE3 за ціною від 13.63 грн до 51.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2309ES-T1_GE3 SQ2309ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2309es.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
10+38.12 грн
100+26.53 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3 SQ2309ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2309es-1765264.pdf MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 221997 шт:
термін постачання 535-544 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.84 грн
10+41.43 грн
100+28.44 грн
500+22.32 грн
1000+17.32 грн
3000+14.74 грн
9000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1-GE3 Виробник : Vishay MOSFET P-CH 60V 1.7A Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.