Продукція > VISHAY > SQ2310CES-T1_GE3
SQ2310CES-T1_GE3

SQ2310CES-T1_GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+14.36 грн
1000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2310CES-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції SQ2310CES-T1_GE3 за ціною від 8.72 грн до 33.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ2310CES-T1_GE3 SQ2310CES-T1_GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+27.34 грн
32+ 23.53 грн
100+ 18.15 грн
500+ 14.36 грн
1000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 28
SQ2310CES-T1_GE3 SQ2310CES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.25 грн
12+ 27.8 грн
100+ 18.11 грн
500+ 14.18 грн
1000+ 10.99 грн
3000+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ2310CES-T1_GE3 Виробник : Vishay N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
товар відсутній
SQ2310CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQ2310CES-T1-GE3 Виробник : Vishay Vishay 20V N-CHANNEL (D-S)
товар відсутній
SQ2310CES-T1/GE3 Виробник : Vishay Vishay
товар відсутній