SQ2310ES-T1_GE3 Vishay
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 43.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2310ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ2310ES-T1_GE3 за ціною від 16.94 грн до 97.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 33571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQ2310ES-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23 |
товару немає в наявності |