SQ2310ES-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 9170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 36.25 грн |
| 500+ | 27.68 грн |
| 1000+ | 20.03 грн |
| 5000+ | 17.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2310ES-T1_GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SQ2310ES-T1_GE3 за ціною від 16.29 грн до 73.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 33571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 9170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2310ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2310ES-T1_GE3 |
товар відсутній |