SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.25 грн |
| 6000+ | 11.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2315ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQ2315ES-T1_GE3 за ціною від 10.70 грн до 65.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 76004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 34835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQ2315ES-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SQ2315ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23 |
товару немає в наявності |