
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 12.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2315ES-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2315ES-T1_GE3 за ціною від 10.64 грн до 46.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 89500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SQ2315ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 1847 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SQ2315ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23 |
товару немає в наявності |