SQ2319ADS-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.42 грн |
| 6000+ | 17.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2319ADS-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2319ADS-T1_BE3 за ціною від 15.37 грн до 74.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ2319ADS-T1_BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S) |
на замовлення 141716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SQ2319ADS-T1"BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.6A, SOT-23 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SQ2319ADS-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.13 грн |
| 10+ | 38.25 грн |
| 100+ | 28.59 грн |
| 500+ | 22.89 грн |
| 1000+ | 20.23 грн |
| SQ2319ADS-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 141716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.99 грн |
| 10+ | 43.69 грн |
| 100+ | 25.37 грн |
| 500+ | 21.07 грн |
| 1000+ | 19.03 грн |
| 3000+ | 15.79 грн |
| 6000+ | 15.37 грн |
| SQ2319ADS-T1"BE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.6A, SOT-23
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.6A, SOT-23
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 67.68 грн |
| 25+ | 42.27 грн |
| 50+ | 34.95 грн |
| 100+ | 25.66 грн |
| 250+ | 21.00 грн |
| 500+ | 18.33 грн |
| 1000+ | 16.56 грн |